[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-6] YSZ基板上に作製したVO₂薄膜の金属‐絶縁体転移現象の観測

森田 巧¹、丹野 友博¹、箕原 誠人²、堀場 弘司²、組頭 広志²、〇樋口 透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード：VO2薄膜

格子長・価数を変えたVO₂薄膜をYSZ基板上にスパッタ法にて作製し、金属-絶縁体転移の挙動を、結晶構造・電気特性だけでなく、電子構造の観点から明らかにした。b軸長を変えることで、転移温度は変化する。さらに、金属相への転移によりV³⁺価数は増加した。これは、構造転移に伴うV-O-V結合距離の変化に起因している。