[20a-B303-1~11] 7.2 電子ビーム応用

△ [20a-B303-11] 放電ガスにKrを用いたHPPMSによるSpindt陰極作製の試み

〇谷口 日向¹、中野 武雄¹、大家 渓¹、長尾 昌善²、大崎 壽²、村上 勝久² (1.成蹊大理工、2.産総研)

キーワード：スパッタリング、Spindt型エミッタ

Spindt型エミッタは真空電子源のひとつであり、微小なキャビティの上部に穴を設け、さらに上部からエミッタ材料を堆積させて作製する。本研究ではこれまで大電力パルススパッタ装置を用いてMoを堆積させ、エミッタ陰極形成の最適条件を決定した。しかし、圧縮応力により膜が剥離する問題が生じた。そこで、質量が大きく、後方散乱する高速中性粒子が発生しにくいKrを放電ガスとして用い、Arの場合と比較して膜の内部応力を評価した。