[20a-C202-1~8] 17.3 層状物質

[20a-C202-7] 絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS₂膜の結晶性改善

〇濱田 昌也¹、松浦 賢太郎¹、谷川 晴紀¹、大橋 匠¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大工)

キーワード：MoS2、スパッタ、アニール

これまでスパッタリング法を用いて、SiO₂/Si基板上においてMoS₂膜を形成し、硫黄雰囲気中におけるポストアニールにより、S/Mo比の改善、結晶性の向上を成功させている。
今回はスパッタMoS₂膜上に保護膜を堆積し、保護膜を通した硫黄粉末アニールによってMoS₂膜の結晶性の向上を目指した。結果は，絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによりMoS₂膜の結晶性が向上することをRaman分光法により確認した。