[20a-F214-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[20a-F214-9] 逆格子空間マッピングによるGe_1-XSn_Xメサ構造における異方的格子定数評価

〇広沢 一郎¹、村上 達海²、須田 耕平²、高橋 祐樹²、吉岡 和俊²、横川 凌^2,3、小椋 厚志² (1.JASRI、2.明治大理工、3.学振特別研究員DC)

キーワード：半導体、歪、逆格子空間マッピング

メサ構造をしたSn濃度3.2%のGe_1-xSn_x/Ge(001)膜について115及び-115近傍の逆格子空間マッピングの測定を行った結果、Ge_1-xSn_x膜の長辺方向の格子面間隔はGe基板と一致する一方、短辺方向はGe基板よりも大きな格子面間隔となり、メサ構造を反映して膜の格子面間隔も異方的になることが明らかになった。