[20a-P7-1~37] 12.1 Fabrications and Structure Controls

[20a-P7-3] Influence of High Growth Rate in High-Velocity Molecular-Beam Deposition on the Field Effect Mobility of Pentacene

〇Kota Ogino¹, Takuya Matsumoto¹, Ryousuke Matsubara², Min-Cherl Jung¹, Hirotaka Kojima¹, Hiroaki Benten¹, Masakazu Nakamura¹ (1.NAIST, 2.Shizuoka Univ.)

Keywords:Pentacene, Vaccum Deposition, Organic Transistor

有機トランジスタ用活性層の成膜プロセス時間を短縮する過程で、10 Å/s以上の高成長速度域において、移動度に影響することが知られている結晶ドメインサイズおよび結晶子サイズに変化がないにも関わらず、電界効果移動度が増加する現象が見られた。。本研究では、基板温度を能動的に制御することで、輻射熱と高成長速度がペンタセン薄膜の電界効果移動度に与える影響を切り分けて評価した。