[20a-P7-1~37] 12.1 作製・構造制御

[20a-P7-3] 高速分子線蒸着を用いたペンタセン薄膜の高速成長が電界効果移動度に与える影響

〇荻野 孝太¹、松本 拓也¹、松原 亮介²、鄭 敏喆¹、小島 広孝¹、辨天 宏明¹、中村 雅一¹ (1.奈良先端大物質、2.静岡大院工)

キーワード：ペンタセン、真空蒸着、有機トランジスタ

有機トランジスタ用活性層の成膜プロセス時間を短縮する過程で、10 Å/s以上の高成長速度域において、移動度に影響することが知られている結晶ドメインサイズおよび結晶子サイズに変化がないにも関わらず、電界効果移動度が増加する現象が見られた。。本研究では、基板温度を能動的に制御することで、輻射熱と高成長速度がペンタセン薄膜の電界効果移動度に与える影響を切り分けて評価した。