13:45 〜 14:00 △ [19p-E313-2] XAFS測定を用いた低温下におけるSi基板上SiGe薄膜の局所構造評価 〇吉岡 和俊1、横川 凌1,2、高橋 祐樹1、竹内 悠希1、広沢 一郎3、渡辺 剛3、小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.JASRI)