11:15 〜 11:30 [20a-E311-9] NO窒化後のCO2熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上 〇細井 卓治1、大迫 桃恵1、伊藤 滉二2、志村 考功1、木本 恒暢2、渡部 平司1 (1.阪大工、2.京大工)