11:30 〜 11:45 [19a-E301-8] 自立GaN基板上に作製したGaN-on-GaN HEMTの絶縁破壊電界評価 〇(M2)青合 充樹1、山本 暠勇1、徳田 博邦1、岡田 成仁2、只友 一行2、アスバル ジョエル1、葛原 正明1 (1.福井大院工、2.山口大院工)