11:45 〜 12:00 [19a-E301-9] AlGaN/GaN MOS HEMTの周波数特性評価 〇小澤 渉至1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、八木下 洋平2、川野 陽一2、葛原 正明1 (1.福井大院工、2.富士通研)