[21a-E216-1~4] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

2019年9月21日(土) 09:00 〜 10:00 E216 (E216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [21a-E216-1] Influence of FeCo termination layer insertion on voltage-controlled magnetic anisotropy effect in the Ir-doped Fe/MgO junction

〇Takayuki Nozaki¹、Masaki Endo²、Tatsuya Yamamoto¹、Tomohiro Nozaki¹、Makoto Konoto¹、Hiroyuki Ohmori²、Yutaka Higo²、Hitoshi Kubota¹、Akio Fukushima¹、Masanori Hosomi²、Yoshishige Suzuki^1,3、Shinji Yuasa¹ (1.AIST、2.Sony Semiconductor Solutions Corp.、3.Osaka Univ.)

09:15 〜 09:30

▼ [21a-E216-2] Improved accuracy of voltage-torque-driven magnetization switching using microwave-superimposed voltage pulse

〇Tatsuya Yamamoto¹、Takayuki Nozaki¹、Hiroshi Imamura¹、Shingo Tamaru¹、Kay Yakushiji¹、Hitoshi Kubota¹、Akio Fukushima¹、Yoshishige Suzuki^1,2、Shinji Yuasa¹ (1.AIST、2.Osaka Univ.)

09:30 〜 09:45

[21a-E216-3] 電圧磁化反転での反転確率の調整

〇福島章雄¹、山本竜也¹、野崎隆行¹、薬師寺啓¹、久保田均¹、湯浅新治¹ (1.産総研・スピントロニクス研究センター)

09:45 〜 10:00

▼ [21a-E216-4] Control of perpendicular magnetic anisotropy of Co films formed on a flexible substrate by applying a biaxial tensile strain

〇Hiroki Matsumoto^1,2、Shinya Ota^1,2、Tomohiro Koyama^2,3、Daichi Chiba^2,3 (1.Univ. of Tokyo、2.ISIR, Osaka Univ.、3.CSRN, Osaka Univ.)

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