Edge induced ferromagnetism in sputtered MoS<sub>2</sub> film controlled by annealing

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:15 E216 (E216)

齋藤秀和(産総研)、吉田博(東大)

10:15 〜 10:30

〇Takanori Shirokura¹、Iriya Muneta¹、Kuniyuki Kakushima¹、Kazuo Tsutsui¹、Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech.)

キーワード：ferromagnetic semiconductor, layered material, MoS2