[18a-E302-1~12] 12.2 評価・基礎物性

△ [18a-E302-7] Ru二核錯体が示す電流ヒステリシス特性のスルーレート依存性

〇村松 拓実¹、大塚 洋一¹、小澤 寛晃²、芳賀 正明³、松本 卓也¹ (1.大阪院理、2.Kyulux、3.中大理工)

キーワード：原子間力顕微鏡、二核錯体

本研究では、原子間力顕微鏡を用いて、架橋配位子が異なる3種類のRu二核錯体(Ru-N、Ru-C、Ru-1)単分子膜の電気特性を計測した。非線形I-V特性が得られ、電流ヒステリシスが観測された。スルーレートの増加に伴ってヒステリシスが増大し、分子によってスルーレートへの依存性が異なることがわかった。異なるスルーレートで計測したRu二核錯体の電流ヒステリシス特性を統計解析により比較した結果と伝導機構の考察を報告する。