[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-11] AlGaN歪制御に向けたAlGaN/AlN界面構造とアニール効果の検討

〇糸数 雄吏^1,2、桑葉 俊輔^1,2、定 昌史¹、鎌田 憲彦²、平山 秀樹¹ (1.理化学研究所、2.埼玉大学)

キーワード：半導体