[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-23] InGaNの表面-バルク電子状態評価

〇井村 将隆¹、津田 俊輔¹、長田 貴弘¹、山下 良之^1,2、吉川 英樹^1,2、小林 啓介²、小出 康夫¹、太田 優一³、村田 秀信⁴、山口 智広⁵、金子 昌充⁶、荒木 努⁶、名西 やすし⁶ (1.物材機構、2.SPring-8物材機構、3.都産技研、4.大阪府大、5.工学院大、6.立命館大)

キーワード：半導体、窒化インジウムガリウム、X線光電子分光法

InGaNの電子状態評価は、軟X線光電子分光法(SX-PES)及び第一原理計算により積極的に行われてきた。しかしながら、InGaNの電子状態は、表面とバルクにて異なっているため、これまでの報告結果はInGaNのバルク(本質的な)電子状態のものとは考えにくい。そこで本研究では硬X線光電子分光法(HX-PES)及び第一原理計算によりInGaNの表面−バルクの電子状態を系統的に評価した。