[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-36] ECR-MBE法を用いたMoS₂上へのGaN薄膜成長

〇大江 佑京¹、毛利 真一郎¹、名西 憓之¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工)

キーワード：GaN、MoS2、MBE

本研究では、原子層半導体2H-MoS₂上へのGaN結晶成長を試みた。六方晶構造を持つ2H-MoS₂は、GaNとのa軸格子定数差が0.8 %と小さく、ダングリングボンドがない層状材料としての特徴に加え、疑似的なホモエピタキシャル効果が働く基板として期待される。結果、MoS₂上でGaN微結晶が多数コアレッセンスし、薄膜状に成長した様子が観察された。発表では、ラマン分光や発光測定による物性評価の結果も含め、グラフェン上での成長結果との比較検討も行う。