2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)

[18p-E216-11~17] 10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)

2019年9月18日(水) 16:15 〜 18:00 E216 (E216)

磯上 慎二 (物材機構)

16:30 〜 16:45

[18p-E216-12] 大径Siウエハ上への単結晶Co2MnGaフルホイスラー合金薄膜の成膜開発

中野 貴文1,4、三輪 真嗣2,4、肥後 友也2,4、福島 章雄1,4、湯浅 新治1,4、中辻 知2,3,4、薬師寺 啓1,4 (1.産総研、2.東大物性研、3.東大理物、4.JST-CREST)

キーワード:ホイスラー合金、磁気トンネル接合

近年,巨大な異方性磁気抵抗効果や異常ネルンスト効果を発現するCo2MnGaフルホイスラー合金が注目を集めている.本研究では,我々のグループが近年開発した単結晶薄膜の作製技術を用いて,大径Siウエハ上へのCo2MnGaフルホイスラー合金薄膜の成膜開発をおこなった.