[18p-E303-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-E303-2] ドリフト拡散法における離散不純物モデルの移動度に関する考察

〇塚原 浩平¹、吉田 勝尚¹、佐野 伸行¹ (1.筑波大数理)

キーワード：デバイスシミュレーション、離散不純物、移動度

n-FinFET構造のもとで離散不純物モデルに含まれる遮蔽長を変え移動度への影響を考察した。高ゲート電圧領域ではポテンシャル揺らぎが抑制され適切な遮蔽長の離散モデルの移動度が不純物を連続体とみなしたモデルに漸近した。一方、遮蔽長を小さくすると短距離の散乱成分がポアソン方程式と電流連続式でダブルカウントされ移動度が劣化した。以上よりドリフト拡散シミュレーションでは適切な遮蔽長の設定が重要となる。