[18p-E308-1~18] 17.2 グラフェン

△ [18p-E308-1] 二層グラフェンにおける電界閉じ込めによる量子構造の実現

〇坂梨 昂平¹、和田 直人¹、バード ジョナサン²、渡邊 賢司³、谷口 尚³、キム ギルホ⁴、青木 伸之¹ (1.千葉大物質、2.バッファロー大、3.物材機構、4.成均館大学校)

キーワード：グラフェン、量子ポイントコンタクト、量子デバイス

h-BNによって挟まれた高移動度二層グラフェンに垂直電場を印加することで形成されるバンドギャップを用い、量子閉じ込め構造、特に量子ポイントコンタクト(QPC)を作製した。二層グラフェンQPCを通過するキャリアの縮退度はバレー、スピンの縮退度から4重縮退と予想されるが、実験結果より二重縮退であることがわかった。これは垂直電場によってバレー縮退が解けたことによる影響だと考えられ、バレー偏極電流が形成されている可能性が考えられる。