[18p-E310-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-E310-4] 外部磁場印加効果を利用したTADF-OLED 特性の解析(I)

〇田中 正樹¹、永田 亮¹、中野谷 一¹、安達 千波矢¹ (1.九大OPERA)

キーワード：熱活性化遅延蛍光、外部磁場印加効果

TADF-OLEDにおける発光定常状態下での動的な特性変化を評価するために、OLED特性に対する外部磁場効果を用いた解析を行った。定電流下での測定において、TADF-OLEDの磁場印加によるEL強度の変化（MEL）は正の応答を示し、これは電子‐正孔対、三重項‐ポーラロン相互作用（TPI）機構の複合によって説明できることがわかった。また、三重項励起子寿命が長い分子を用いた系では、TPIによる励起子失活の影響が大きいことが示唆された。