[18p-E317-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

△ [18p-E317-4] YbAlN圧電薄膜のUHF帯における電気機械結合係数k_t²の増幅

〇(M1)木原 流唯^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JSTさきがけ)

キーワード：圧電薄膜、BAWフィルタ、スパッタリング

5G以降の無線通信に用いられるBAWフィルタには広帯域で急峻な周波数特性が求められている。帯域幅は電気機械結合係数k_t²が大きいほど広くなるので、近年、大きなk_t²をもつScAlNのスマートフォン用BAWフィルタへの実用化が進んでいる。そのため、新しいAlN系圧電薄膜材料の探索が盛んであり我々のグループもYbAlNの良好な圧電性を確認している。そこで本研究ではYbAlN薄膜のk_t²のYb濃度依存性のより詳しいデータを報告する。