[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [18p-N302-13] Threshold voltage control in normally-off Al₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMTs through Al₂O₃ thickness variation

〇(M2)Shinsaku Kawabata¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Akio Yamamoto¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ.)

Keywords:AlGaN/GaN MOS-HEMT, normally-off, threshold voltage

AlGaN/GaN HEMTは次世代のパワー半導体として期待されている。しかし安全面の観点より、ノーマリーオフ動作が要求される。これを実現する方法の一つに、リセスゲート構造を持つAl₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMTが用いられる。Al₂O₃膜厚を厚くすればより高い正のゲート電圧を印加することができるが、しきい値電圧V_thは負にシフトし、ノーマリーオン動作になる。本研究では、再成長AlGaN層とリセス構造を有するAl₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMTを試作しAl₂O₃膜厚とV_thの依存性について検討したので報告する。