[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-6] 界面顕微光応答法による電気化学エッチングした
Ni/GaNショットキーの2次元評価 (Ⅱ)
--n形とp形の比較--

〇(M1)松田 陵¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、三島 友義³、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大)

キーワード：GaN、界面顕微光応答法、電気化学エッチング

選択的に電気化学またはICPエッチングしたn形、及びp形GaN表面を界面顕微光応答法で2次元評価した結果を報告する。n形ではエッチングしていない領域に比べて、電気化学エッチング領域で5 %、ICP領域で10 %の光電流の増加がみられた。p形では光電流は電気化学エッチング領域で4 %増加したが、ICP領域では69%の著しい減少がみられた。本手法でn形、p形ともにエッチングパターンを検出できることを明らかにした。