[18p-PB1-1~84] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

△ [18p-PB1-64] 強磁性トンネル接合磁気センサ用FeSiAl薄膜の作製

〇(M1)赤松 昇馬¹、大兼 幹彦¹、角田 匡清¹、安藤 康夫¹ (1.東北大工)

キーワード：センダスト、磁気センサー

強磁性トンネル接合(MTJ)磁気センサの高感度化のために、高トンネル磁気抵抗(TMR)比と軟磁気特性とを両立するフリー層材料が求められている。本研究では、DO₃規則構造において軟磁気特性を示す （センダスト、以下FeSiAl）に着目した。しかし、MTJに応用可能なnmオーダーのFeSiAl薄膜は過去に作製された例がない。本研究の目的は、MgO基板上にDO₃規則構造を有するFeSiAl薄膜を作製し、MTJ磁気センサへの応用可能性を明らかにすることである。