[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-22] 溶液塗布法によるAlドープZnO積層膜のシート抵抗と薄膜トランジスタの特性評価

〇大浦 紀頼¹、高野 圭祐¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大　ナノ材研)

キーワード：AZO、溶液法、積層膜

近年，これまで使用されてきたa-Si TFTの代替材料として酸化物半導体TFTが注目されている．その特徴としてアモルファス相での高い電子移動度，低いリーク電流，などが挙げられる．様々な製造プロセスの中でも溶液プロセスは，低コストでかつ大面積のデバイス形成が可能であり，また溶液の優れた組成制御性がある．今回我々は，ZnO系チャネル層と高Al添加AZOバッファ層の積層構造における諸特性を評価したので，その結果について報告する．