[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-33] 誘導結合プラズマスパッタ装置を用いた2層IGZO TFTの信頼性評価

〇松尾 大輔¹、宮永 良子²、池田 拓弥¹、岸田 茂明¹、瀬戸口 佳孝¹、安東 靖典¹、藤井 茉美²、浦岡 行治² (1.日新電機、2.奈良先端大)

キーワード：IGZO、TFT、スパッタ装置

我々は、高密度IGZO膜を室温成膜することが可能なICPスパッタ装置を開発している。本装置を用いた2層IGZO構造の TFTが高い信頼性を示すことを既に確認している。本研究では、第2層成膜時の酸素分圧が、温度電圧ストレス試験（PBTS, NBTS）に於ける信頼性（ΔVth）に大きな影響を与えていることが分かった。また、酸素分圧を最適化することで、PBTS、NBTS共に高い信頼性を実現できることを確認した。