[19a-B11-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[19a-B11-9] 単一MOS界面トラップの2電子準位の相関 II ー電子捕獲過程ー

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：シリコン、単一界面トラップ、電子捕獲時定数

これまでに確立した体系的な界面トラップ評価法を用いて，単一トラップの電子準位対の密度分布を明らかにした．この準位対の各エネルギー位置には何らかの物理的要因に基づく相関があると推測でき，その解明のため，関連しそうな手掛かりとして，準位対における電子捕獲過程の理解を深める検討を行った．今回は，1つの準位対における電子捕獲過程が，片方の準位の電子捕獲状態によってどのような影響を受けるのかを調べた．