[19a-C310-1~12] 6.6 プローブ顕微鏡

[19a-C310-9] InAs/GaSbヘテロ構造断面上の原子操作とトンネル機構

〇鈴木 恭一¹、小野満 恒二²、蟹澤 聖² (1.福岡工業大学、2.NTT物性基礎研)

キーワード：半導体ヘテロ構造、二重障壁トンネル接合、量子ドット

我々は将来の原子スケールデバイスを目指し、STMによりInAs/GaSbヘテロ構造断面上でIn原子操作を行い、その物性を調べている。今回、GaSb上でIn原子を移動させながらトンネル分光を行った。その結果、障壁層であるGaSbを通してIn原子の電子軌道と外側のInAsの伝導帯がトンネル結合し、STM探針からのトンネリングを含めて二重障壁トンネル接合を形成することで、量子ドット的な振る舞いをしていることが分かった。