[19a-E204-1~11] 3.1 光学基礎・光学新領域

[19a-E204-5] 集光レーザー照射下でのアニオン交換反応によるハロゲン化鉛ペロブスカイトのバンドギャップチューニング

〇柚山 健一^1,2、エムディー シャジャハン²、エムディージャヒダル イスラム²、ビジュ バスデバンピライ^1,2 (1.北大電子研、2.北大院環境)

キーワード：ペロブスカイト、レーザートラッピング、ハロゲン交換反応

ハロゲン化鉛ペロブスカイトは、次世代の光電子デバイス用の半導体材料として注目されている。その特性はバンドギャップに大きく依存する。ハロゲン交換反応は、バンドギャップを変えるための合成後アプローチである。通常、ハロゲン化物イオンを含む溶液とペロブスカイトを混ぜることにより交換反応が起こり、結晶全体のバンドギャップが均一に変化する。発表では、集光レーザーを用いた位置選択的ハロゲン交換反応について報告する。