2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[19a-E302-1~10] 12.2 評価・基礎物性

2019年9月19日(木) 09:00 〜 11:45 E302 (E302)

島田 敏宏(北大)、渡邉 峻一郎(東大)

11:00 〜 11:15

[19a-E302-8] 単一分子接合の熱伝導率計測に向けたサブミクロンスケールの熱電対の開発

〇(M2)花村 友喜1、山田 亮1、夛田 博一1 (1.阪大院基礎工)

キーワード:単一分子接合、熱伝導率、温度計

本研究では、単一分子接合の熱伝導率の計測に向けて、サブミクロンスケールの熱電対を作製・校正した。金とクロムの薄膜細線で作製した熱電対のゼーベック係数は、細線の幅によって20 %程度変動することが確認された。薄膜熱電対では、キャリアである電子が細線構造の表面で散乱される効果が大きいと考えられ、サブミクロン領域では側面でのキャリア散乱の寄与が無視できないことが分かった。