[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [19a-E305-7] Al/金属酸化物/Si構造における抵抗スイッチング現象

〇寺垣 亮太¹、小林 晃平¹、吉田 晴彦¹、新船 幸二¹、神吉 滉輝夫²、堀田 育志¹ (1.兵県大工、2.阪大産研)

キーワード：抵抗変化型メモリ(RRAM)、抵抗スイッチング、シリケイト

次世代の不揮発性メモリとして抵抗変化型メモリ(RRAM)の開発が進められている。そこで、新たにAl/金属酸化物/Si (Al/MOx/Si)構造の金属シリサイドシード方式のRRAMを提案し、それらの問題に解決に取り組んでいる。この方式では、エレクトロフォーミング処理の省略化や貴金属電極を用いない素子を実現できると考えている。今回は、シリケイト形成エネルギーが異なる金属酸化物によるMIS構造の抵抗変化現象の系統的調査を行ったので報告する。