2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[19a-E308-1~9] 17.3 層状物質

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:45 E308 (E308)

入沢 寿史(産総研)

10:00 〜 10:15

[19a-E308-3] 正の閾値電圧のMetal-Top-Gate/High-k/スパッタMoS2の蓄積容量特性

谷川 晴紀1、松浦 賢太朗1、宗田 伊理也1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、筒井 一生1、若林 整1 (1.東工大)

キーワード:スパッタリング、MoS2、C-V