2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[19a-PA3-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PA3 (第一体育館)

09:30 〜 11:30

[19a-PA3-2] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの温度依存性

石崎 隆浩1、韓 旭1、松浦 正樹1、対馬 幸樹1、白井 琢人1、下村 和彦1 (1.上智大学)

キーワード:レーザ、InP/Si、直接貼付

情報伝送量の増加に伴い光インターコネクションの実現が望まれる。光インターコネクション実現のためにSi基板上に光デバイスが集積されるが、Siは間接遷移半導体のため発光デバイスに不向きである。そこで我々はInPとSiを直接貼り付けした上で、InP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案している。これによりSiとInP系の格子定数差などの問題を解決している。本研究では、InP/Si基板上MQWレーザの高温度発振特性について述べる。