[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-1] 室温における光伝導度測定によるGaAsNの評価

〇清水 光一郎¹、大竹 浩二朗¹、塚崎 貴司¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：GaAsN、光伝導度、組成揺らぎ

低い窒素組成のGaAsNは、窒素組成の増加に伴って、バンドギャップエネルギーが減少する性質をもつため、GaAs基板上での多接合型太陽電池の1.0 eV帯への応用が期待されている。そこで、本研究では、室温における光伝導度測定を用いて、GaAsNを評価したので、その結果について報告する。