2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[19p-C309-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2019年9月19日(木) 13:45 〜 18:30 C309 (C309)

井原 章之(情通機構)、中岡 俊裕(上智大)

18:00 〜 18:15

[19p-C309-15] PEEMを用いたZnOナノロッドの電界放出特性評価

〇(M1)河本 雅弥1、工藤 雅嗣2、水野 潤一1、Mebert Jeem1、渡辺 精一1、朝倉 清高1 (1.北大、2.管製作所)

キーワード:酸化亜鉛ナノロッド、電界放出、光電子顕微鏡(PEEM)

我々はZnOナノロッドアレイの電界放出特性を各部分ごとに区別して評価する手段として、光電子顕微鏡(PEEM)を提案する。PEEMとは紫外光照射によって生じた光電子を加速し結像する観察手法である。本研究では紫外光を照射せずに、ZnOナノロッドから放出される電界放出電子の結像を試みたが観察できなかった。しかしその後、ロッド先端の電界集中が要因と考えられる仕事関数以下の励起光照射によるPEEM像が観察できた。