[19p-C309-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[19p-C309-5] 液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおけるPLピークエネルギー温度依存性と人工濡れ層の関係

〇宮内 雄大¹、江添 悠平¹、間野 高明²、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大、2.物材機構)

キーワード：量子ドット、フォトルミネッセンスピークエネルギー、濡れ層