[19p-E311-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E311-5] 連続パルス電圧印加による ReRAM 抵抗変化推移の レーザー励起光電子顕微鏡観察

〇(M2)奥田 裕司^1,2,3、川北 純平^2,3、谷内 敏之^2,3、島 久^2,4、清水 敦史^1,4、内藤 泰久^2,4、木下 健太郎¹、秋永 広幸^2,4、辛 埴^2,3 (1.東理大理、2.産総研・東大 OIL、3.東大物性研、4.産総研ナノエレ)

キーワード：抵抗変化メモリ、光電子顕微鏡、その場観察

パルス電圧印加方式を用いた、レーザー励起光電子顕微鏡のオペランド観察技術を開発を行った。この技術は、電気特性に対応したReRAMの化学状態変化をリアルタイムで視覚化を可能にする。また、ナノレベルの分解能と非破壊性を持つ為、従来の顕微鏡では観察できなかったデバイスの微細な変化の観察ができ、更には磁性、結晶性等も観測可能なことから、様々な次世代デバイスにも応用が期待できる技術である。