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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E311-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月19日(木) 13:15 〜 17:00 E311 (E311)

島久(産総研)、鶴岡徹(物材機構)

14:30 〜 14:45

△ [19p-E311-6] Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt素子における2種類のバイポーラ型抵抗変化の遷移過程で見られるアナログ抵抗変化

〇(M2)宮谷俊輝¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：抵抗変化メモリ、アナログ抵抗変化、シナプス