[19p-E317-1~20] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[19p-E317-20] CdSe/ZnS量子ドットを用いた薄膜トランジスタ

〇清水 直¹、三輪 一元¹、Braga Daniele²、Norris David J.³、小野 新平¹ (1.電中研、2.Fluxim AG、3.ETH Zurich)

キーワード：コロイド量子ドット、電界効果トランジスタ

本講演では、CdSe/ZnSコアシェル型量子ドットトランジスタの作製について報告する。CdSe/ZnSは、コアのバンドギャップがシェルよりも小さいタイプI型のバンドアライメントを有する。厚さ300nmのSiO₂層を有するSi基板上に、厚さ約170 nmのCdSe/ZnS量子ドット薄膜を作製したところ、n型のトランジスタとして動作することが確認できた。当日はこのCdSe/ZnS量子ドットトランジスタの電気特性、膜厚依存性、光応答特性などを議論したい。