16:00 〜 18:00
[19p-PB10-1] 表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価
キーワード:アトムプローブ、集束イオンビーム、表面活性化接合
表面活性化接合法で形成したSi/GaAs界面に着目し,3次元アトムプローブ測定のための針状試料を集束イオンビーム(FIB)を用いて低温下(-150 °C)で加工し,接合界面の急峻性を調べることでFIB加工時の温度の影響を調べた.
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池
2019年9月19日(木) 16:00 〜 18:00 PB10 (第二体育館)
16:00 〜 18:00
キーワード:アトムプローブ、集束イオンビーム、表面活性化接合