[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-16] InAlNプラズマ酸化膜のXPSによる評価

〇(M1)北脇 侑弥¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：InAlN、プラズマ、XPS

次世代通信デバイス向け材料として期待されるInAlN/GaNヘテロ構造は、高い自発分極に起因したリーク電流を抑制するため、絶縁膜との組み合わせが必須である。しかし、絶縁膜とInAlNとの界面の制御技術が確立されていない。本報告においては、界面制御層として有用であるプラズマ酸化膜について、酸化時間を変えて形成を行い、XPSにより評価した。