[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-7] Study on photo-electrochemical etching on high-doped n-type GaN substrates

〇(M1)Kazuki Miwa¹, Masachika Toguchi¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE)

Keywords:Photo-electrochemical etching

これまでに我々は、GaNの低損傷加工の手段として、PEC(光電気化学：Photo-electrochemical）エッチングが有望であることを示してきた。PECエッチングは、光励起で生成した正孔を利用し、GaN表面の陽極酸化とその溶解を繰り返すことで進行する。低濃度のn型GaNでは、GaN表面に正孔が蓄積するほどの光量を照射し、電解液イオンの拡散律速条件のもとで平坦なエッチング面が得られることが報告されているが、高濃度GaNに関するPEC条件の調査はほとんどなされていない。本研究では、高濃度GaNに対するPECエッチング面の平坦性に焦点を当て、最適なPEC条件やそのメカニズムの調査を行った。