[20a-E201-1~10] 17.3 層状物質

△ [20a-E201-3] ゼーマン型スピン軌道相互作用を用いた界面磁性変調

〇(DC)松岡 秀樹¹、中野 匡規^1,2、山本 慧³、Mohammad Bahramy^1,2、家田 淳一³、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.原子力機構)

キーワード：磁性、遷移金属ダイカルコゲナイド、分子線エピタキシー法

異なるファンデアワールス(vdW)物質を積層して得られるvdWヘテロ構造は、単体では得られない物性や機能の発現の場として注目を集めて始めている。特に本研究では、ゼーマン型と呼ばれるvdW物質特有のスピン軌道相互作用が強磁性体の異方性に大きな影響を与えることを見出した。本発表では、前回発表したヘテロ構造における磁性変調について詳細を述べるとともに、ヘテロ構造の種類の拡張などを通じて得られた結果について議論する。