[20a-E201-1~10] 17.3 層状物質

[20a-E201-4] 分子線エピタキシー法を用いたバレー物質への磁性不純物ドーピング

〇(M2)真島 裕貴¹、柏原 悠太¹、松岡 秀樹¹、中野 匡規^1,2、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：二次元物質、遷移金属カルコゲナイド、分子線エピタキシー法

近年、二次元極限における磁性が注目を集めている。また2H型の単層遷移金属カルコゲナイドはバレーの自由度とスピンの自由度が結合した電子構造を有しており、それらを相互に制御する事で新しい機能の発現が期待される。本研究では分子線エピタキシー法により2H型のバレー物質への磁性不純物ドーピングに取り組み、新奇磁性相の発現を目指している。本発表では薄膜合成手法を紹介し、得られた試料の構造・物性について議論する。