[20a-E216-1~6] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

[20a-E216-5] ノンコリニア反強磁性体Mn₃(Ni_0.35Cu_0.65)N薄膜における異常ホール効果の観測

〇三木 竜太¹、羽尻 哲也¹、Kan Zhao²、Hua Chen³、Philipp Gegenwart²、浅野 秀文¹ (1.名大院工、2.アウクスブルク大学、3.コロラド州立大学)

キーワード：異常ホール効果、反強磁性体、逆ペロブスカイト型マンガン窒化物

高性能デバイスの実現に向け、反強磁性体を磁気メモリに用いることが考えられている。ノンコリニア型反強磁性体で異常ホール効果の発現が予測されており、これにより磁化の検出を行うことが考えられている。我々は、反応性マグネトロンスパッタ法によりMgO(111)基板上にMn₃(Ni_0.35Cu_0.65)N薄膜を作製し、異常ホール効果の観測に成功した。