2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20a-E303-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月20日(金) 10:30 〜 11:45 E303 (E303)

山口 憲司(量研機構)

10:30 〜 10:45

[20a-E303-1] BaSi2融液から発生する蒸気組成の理論解析

原 康祐1、山中 淳二1、有元 圭介1 (1.山梨大)

キーワード:シリサイド半導体、蒸着

BaSi2蒸着における蒸気組成の経時変化を理論的に説明することを目指して、BaSi2融液から発生する蒸気のフラックスを熱力学により理論的に計算した。その結果、BaSi2が調和溶融した融液から発生する蒸気はBaが支配的であり、融液中のBaモル分率が減少するに従い、Siフラックスが増大することが明らかとなった。