[20a-E318-1~11] 【CS.7】 7.2 電子ビーム応用、7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション

△ [20a-E318-10] Graphene/h-BNを用いた原子層物質積層平面型電子源

〇猪狩 朋也^1,2、長尾 昌善¹、三石 和貴³、佐々木 正洋²、山田 洋一²、村上 勝久^1,2 (1.産総研、2.筑波大学、3.物材機構)

キーワード：グラフェン、窒化ホウ素、電子源

本研究は，原子層物質であるグラフェン及びh-BNの積層構造を用いた新規平面型電子源を開発し，その電子放出特性を議論したものである．この電子源の最大放出電流は数 A/cm2と大きく，かつそのエネルギ幅は0.7 eV以下と高い単色性を示した．さらに，低電流放出時にはエネルギ幅は0.3 eV程度であり，金属冷陰極と同程度であった．また， Si基板の電子分布を反映していると思われるスペクトル形状が観測され，これは絶縁層及びゲート電極中で電子がほとんど散乱を受けずに放出していることを示唆するものである．