[20a-F211-1~10] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [20a-F211-9] ４端子TiO_2-x薄膜メモリスタ素子によるシナプス特性の実装

〇三宅 亮太郎¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：シナプス、メモリスタ、抵抗変化型メモリ