2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[20p-B12-1~11] 13.9 化合物太陽電池

2019年9月20日(金) 13:15 〜 16:15 B12 (B12)

渡辺 健太郎(東大)

15:45 〜 16:00

[20p-B12-10] 表面活性化接合を用いたGaAs//InGaAs 2接合型太陽電池の開発

〇(M2)福谷 貴史1、渡辺 健太郎2、ソダーバンル ハッサネット2、中野 義昭1,2、杉山 正和1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード:太陽電池、多接合、表面活性化接合

従来よりも接合数の多い、高効率な多接合型太陽電池を作製するための手法として、表面活性化接合という手法がある。この手法によるプロセスの影響などには明らかになっていない点が未だに多い。そこで、多接合型太陽電池として簡略化した構造である、GaAs//InGaAs 2接合型太陽電池を作製して、そのI-V特性を測定し、多接合型太陽電池として動作していることを確認した。