[20p-C309-1~10] 強誘電体材料の将来デバイスへの応用

[20p-C309-1] 強誘電体の特異な物性と強誘電体ゲートトランジスタへの応用

〇徳光 永輔¹ (1.北陸先端大)

キーワード：強誘電体、強誘電体ゲートトランジスタ

本講演では、最初に強誘電体ゲート型の不揮発性メモリ素子について、歴史的な経緯を概観する。次に「特異」な物性の例として、大きな誘起電荷量を利用して導電性酸化物ITOをチャネルに用いた強誘電体ゲートトランジスタを実現した講演者らの研究を紹介する。最後に負性容量特性を利用して急峻スロープMOSFETを実現しようとする最近の研究を紹介するとともに、簡単な分極反転動作を解析した結果を報告する。